Pusvadītāji ir liela materiālu grupa, kurā ir gan ķīmiskie elementi, gan komplicēti savienojumi.
Pusvadītāju elektronika strauji attīstās – tehnikā un sadzīvē mēs bieži sastopamies ar tiem un tos lietojam. Pusvadītāji ir pamatā visām digitālajām ierīcēm.
Pusvadītāju vadītspēja ir lielāka nekā dielektriķim, bet mazāka nekā labiem vadītājiem – metāliem.
Elektronikā visplašāk lietotais pusvadītājs ir silīcijs (Si). Līdzās tam izmanto arī germāniju (Ge), selēnu (Se) un telūru (Te).
Temperatūrai pieaugot, pusvadītāju īpatnējā pretestība samazinās.
Ja, pieaugot temperatūrai, metālu īpatnējā pretestība kļuva lielāka, tad pusvadītājiem tieši pretēji – strauji samazinās.
Elektronu vadītspēju pusvadītājos, tāpat kā metālos, nosaka no atomiem atbrīvotie un kristālrežģa starpmezglu telpā nokļuvušie valences elektroni, tomēr tā notiek savādāk nekā metālos. Atomi pusvadītāja kristālrežģī ir cieši saistīti ar kovalentajām saitēm. Katru tādu saiti veido divi blakus esošie atomu valentie elektroni. Piemēram, IV grupas pamatpusvadītājiem tādas saites ir četras. …
